在過去的幾十年中，SRAM領(lǐng)域已劃分為兩個(gè)不同的產(chǎn)品系列,快速和低功耗，每個(gè)產(chǎn)品都有自己的功能，應(yīng)用程序和價(jià)格。使用SRAM的設(shè)備需要它的高速性或低功耗性，但不能同時(shí)兼顧兩者。但是人們越來越需要具有低功耗的高性能設(shè)備，以便在依靠便攜式電源運(yùn)行時(shí)執(zhí)行復(fù)雜的操作。這種需求由新一代醫(yī)療設(shè)備和手持設(shè)備，消費(fèi)電子產(chǎn)品和通信系統(tǒng)及工業(yè)控制器推動(dòng)，而這些都由物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)。
 
下面介紹一款可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI的國產(chǎn)SRAM芯片EMI501HB08PM45I。
 
EMI501HB08PM45I描述
EMI501HB08PM45I異步低功耗SRAM由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬128k x 8bit，支持工業(yè)溫度范圍，工作輸出電壓為4.5V?5.5V，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的靈活性設(shè)計(jì)。還支持低數(shù)據(jù)保留電流的電池備份操作的低數(shù)據(jù)保留電壓。
 
EMI501HB08PM45I特征
•工藝技術(shù)：90nm全CMOS
•組織：128k x 8bit
•電源電壓：4.5V?5.5V
•三種狀態(tài)輸出和TTL兼容
•標(biāo)準(zhǔn)32SOP.
•工業(yè)運(yùn)行溫度。
 
低功耗SRAM存儲(chǔ)器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，SRAM作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來越重要。


本文關(guān)鍵詞：異步低功耗SRAM

相關(guān)文章： 國產(chǎn)串行SRAM存儲(chǔ)芯片EMI7008LSMI
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。