觀察三大廠目前的進度，合肥長鑫的廠房在去年第三季開始移入測試用機臺，目前進度與晉華集成差不多，將會在今年第三季進行試產，量產則暫定在2019年的上半年，時程較預期要落后一點。由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠最重要產品之一的LPDDR4 8Gb，隨后面臨專利爭議的可能性也較高，所以為了避免發(fā)生這種狀況，除了積極取得專利權外，合肥長鑫初期可能將目標市場定于國內。

 

至于專注于利基型記憶的晉華集成，在2016年7月宣布在福建省晉江市建12英寸廠，投資金額約53億美元，其中利基型內存的試產延后至今年第三季度，量產時間也定于明年上半年。

 

2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土，官方預期分三階段進行建設，總共要建立三座3D-NAND Flash廠房。第一階段廠房在去年9月完成興建，預期2018年第三季開始移入機臺，在第四季進行試產，初期投片不超過1萬片，用于生產32層3D-NAND Flash產品，在64層技術逐步成熟后，再視情況擬定第二、三期生產計劃。

 

隨著中國存儲器產品逐步成熟，預計2020-2021年兩家DRAM廠商現有工廠將漸漸滿載，最好的情況下，到時兩家合計約有每月25萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。另一方面，長江存儲計劃設有的三座廠房總產能可能高達每月30萬片，不排除長江存儲完成64層產品開發(fā)后，可能將進行大規(guī)模的投片，進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產生重大影響。 


本文關鍵詞：NAND Flash

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