賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。
 
CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為524,288×8位，可使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。CY15B104Q-LHXI與具有相同引腳輸出的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優越寫入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微提供相關技術支持。 

 
與串行閃存和EEPROM不同，CY15B104Q-LHXI以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。CY15B104Q-LHXI能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使CY15B104Q-LHXI非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。例子包括數據收集（可能是關鍵的寫周期數）到要求苛刻的工業控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能會導致數據丟失。
 
CY15B104Q-LHXI為串行EEPROM或閃存的用戶提供了實質性的好處，可以作為硬件的替代產品。CY15B104Q-LHXI鐵電存儲器使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。該設備包含一個只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產品密度和產品版本。在–40℃至+85℃的工業溫度范圍內保證器件的規格。
 
記憶體架構
當訪問CY15B104Q-LHXI時，用戶尋址每個8個數據位的512K單元。這八個數據位被串行移入或移出。使用SPI協議訪問地址，該協議包括一個芯片選擇（允許總線上有多個設備），一個操作碼和一個三字節地址。地址范圍的高5位是“無關”值。19位的完整地址唯一地指定每個字節地址。
 
CY15B104Q-LHXI FRAM的大多數功能要么由SPI接口控制，要么由板載電路處理。存儲器操作的訪問時間基本上為零，超出了串行協議所需的時間。也就是說，以SPI總線的速度讀取或寫入存儲器。與串行閃存或EEPROM不同，由于以總線速度進行寫操作，因此無需輪詢設備是否處于就緒狀態。到可以將新的總線事務轉移到設備中時，寫操作就完成了。界面部分將對此進行詳細說明。
 
串行外設接口（SPI）總線
CY15B104Q-LHXI是SPI從設備，工作速度高達40MHz。該高速串行總線提供了與SPI主設備的高性能串行通信。許多常見的微控制器都具有允許直接接口的硬件SPI端口。對于不使用微控制器的普通端口引腳，使用普通端口引腳來模擬端口很簡單。 CY15B104Q工作在SPI模式0和3。

本文關鍵詞： 鐵電存儲器

上一篇文章： ?低功耗SRAM存儲器EMI501NL16LM-55I完美替換IS63WV1288DBLL-10JLI

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。