SRAM作為讀寫速度最快的內(nèi)存介質(zhì)，具備很多優(yōu)勢，比如，它可以向更先進的制程節(jié)點兼容，具備高能效比的計算優(yōu)勢，同時它又不存在其他非易失性存儲所具備的耐久性問題，更重要的是，基于SRAM的設(shè)計方案，可以支持純數(shù)字化設(shè)計，從而能夠解決很多應(yīng)用場景所關(guān)心的精度問題。
 
SRAM方案在現(xiàn)階段具有三點優(yōu)勢：其一，SRAM是所有存儲類型中最快的，且沒有寫次數(shù)限制，對于追求快響應(yīng)的場景幾乎是必選；其二，SRAM可向先進制程兼容，從而達(dá)到更高的能效比和面效比；其三，相對新型存儲器，SRAM的工藝成熟度較高，可以相對較快地實現(xiàn)技術(shù)落地與量產(chǎn)。
 
存內(nèi)計算存在多種基于不同存儲介質(zhì)的技術(shù)路徑，如SRAM、Flash及其它新型存儲器。SRAM工藝成熟度高，具有向先進節(jié)點高兼容性和無限擦寫次數(shù)的優(yōu)勢，在計算時能夠做到精度無損、讀寫延遲短，適用于諸如自動駕駛、無人機等對計算準(zhǔn)確性和反應(yīng)速度要求高的場景。


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